日本napson平板電阻薄層電阻測(cè)量半自動(dòng)裝置

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

• 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
• 擴(kuò)散樣品硅基薄膜（LTPS等），IGZO
• 硅基外延離子注入樣品
• 與化合物半導(dǎo)體有關(guān)的（GaAs，Epi，GaN，Epi，InP，Ga等）
• 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

大300 x 300毫米（選件;大500 x 500毫米）

測(cè)量范圍

[電阻（比電阻）] 1m至200Ω·cm 
[片電阻] 1m至1,000kΩ/ sq（選件；?10MΩ/ sq）

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

• 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
• 擴(kuò)散樣品硅基薄膜（LTPS等），IGZO
• 硅基外延離子注入樣品
• 與化合物半導(dǎo)體有關(guān)的（GaAs，Epi，GaN，Epi，InP，Ga等）
• 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

大300 x 300毫米（選件;大500 x 500毫米）

測(cè)量范圍

[電阻（比電阻）] 1m至200Ω·cm 
[片電阻] 1m至1,000kΩ/ sq（選件；?10MΩ/ sq）

映射圖像

 日本napson平板電阻薄層電阻測(cè)量半自動(dòng)裝置