Si晶片和化合物晶片的高速加熱裝置介紹

臺(tái)式燈加熱器 MILA-5050

用途

• Si晶片和化合物晶片的高速加熱

• 光學(xué)CVD基板加熱等電子材料的高速加熱

• 玻璃基板、陶瓷、復(fù)合材料等的熱處理。

• 熱循環(huán)測試

• 金屬材料的退火

• 涂膜耐熱性評價(jià)

• 有機(jī)材料和樹脂的加熱和干燥

特征

• 熱處理可達(dá)到 50 平方毫米的樣品尺寸

• 最高溫度1200℃

• 可高速加熱和冷卻的紅外金像 臺(tái)式加熱裝置，集成加熱室和溫度控制器

• 您可以輕松設(shè)置溫度程序并從個(gè)人計(jì)算機(jī)輸入外部信號(hào)。

• 可以在個(gè)人電腦上顯示加熱過程中的溫度數(shù)據(jù)。

規(guī)格

* 真空排氣裝置是一個(gè)選項(xiàng)
* 加熱溫度因被加熱材料的紅外反射/吸收、熱容量和材料而異。

測量數(shù)據(jù)

• ① 500℃，Δt=3.2℃

• ② 800℃，Δt=0.6℃

• ③ 1000℃，Δt=4.2℃

• ④ 1200℃，Δt=2.6℃